Новейший вид памяти основан на фазовом состоянии вещества и приходит разновидностью так нарекаемой «фазовой памяти». По словам разрабов, в базе сделанной ними технологии лежат без помощи других формирующиеся нанопроволоки из теллурида сурьмы и германия – соединений, способных поменять свойское фазовое состояние под действием электро тока. Экие вещества могут располагать кристаллическую структуру, или находиться в неупорядоченном аморфном состоянии, обладая при всем этом различное электрическое противодействие. Толщина нанопроволок памяти, по предоставленным ученых, сочиняет 30-50 атомов в поперечнике, длина – 10 мкм, извещает TG Daily.

В итоге основных тестов с прототипом памяти удалось найти, что она способна записывать, читать и устранять колочены предоставленных со скоростью в 1000 разов выше средней скорости занятия идущих в ногу со временем агрегатов на основе флэш-памяти. При всем этом, как отмечают ученые, их память употребляет чрезвычайно малюсенькое число электрической энергии, в итоге 0,7 мВт на операцию с один-одинешенек колоченном. Сведения на эком носителе могут накрепко храниться в процесс сто тыс. лет.

Как сказал TG Daily управляющий команды разрабов Ритеш Эгарвал (Ritesh Agarwal), доцент кафедры исследования субстанций, на теоретическом уровне на базе принесенной технологии можнож творить терабитные модули памяти незначительных размахов. По его убеждению, схожая память по доли густоты записи может составить конкурентнсть флэш-памяти. Он добавил, что выход сходственной памяти на массовый рынок ожидается никак не ранее, чем спустя восемь, либо даже 10 лет. Отметим, что ранее аналитики пророчили возникновение основных товаров на основе фазовой памяти теснее в 2007-2008 гг.

Мировые создатели кремниевых микросхем издавна водят конструктивные поиски новейших технологий, тот или другой дозволят уменьшить стоимость производства, будут употреблять младше энергии и, в то же период, действовать стремительнее нынешней флэш-памяти. В 2005 грам. о разработке памяти, основанной на фазовых переходах, докладывали спецы исследовательских лабораторий Philips. В баста 2006 грам. схожая память имелась сотворена группой компаний, в число тот или иной заходила IBM, но быстрота работы их памяти имелась басистее. Компания Intel также ведет разработки в данной области, в апреле текущего года ею был продемонстрирован свой чип фазовой памяти.
Дата публикации статьи: 25-05-2016, 07:19